IGBT作为功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，近年来，随着新能源汽车以及轨道交通等市场的崛起，市场规模与日俱增。
数据显示，2010年，全球IGBT市场规模仅为30.36亿美元，到了2018年，增长到58.26亿美元，年复合增长率达到了9.8%。而在各大市场中，尤以中国市场的增速最快，高达18.2%。
igbt功能半导体在电驱上的地位位居关键环节
新能源汽车动力电池存储的能量规模不及燃油车油箱，其用能的保障除电池外还依靠高性能电机、配套电控等。功率半导体是电控的核心组成，用于实现开关、逆变、变频、变压等功能。
电车需求结合材料本质，硅IGBT/碳化硅MSET脱颖而出
新能源汽车电控用功率半导体需同时考虑基体材料类型和器件类型。基体材料中，硅综合性能均衡、单晶生产成本低，已得到广泛应用；碳化硅综合性能优越，极具应用潜力。器件类型中，IGBT可承受高压大电流，但开关损耗高； MOSFET的开关速度快、开关损耗低，但耐压性能差。
综合考虑基体材料和器件特性，硅基GBT（相对廉价）和碳化硅基 MOSFET（相对昂贵）是新能源汽车功率半导体合理选择。
新能源汽车规模增长品质提升，功率半导体如箭在弦
我国新能源汽车销量增速暂时趋缓，但销量结构向好；长期销量相对高增速和节能降耗趋势不变，功率半导体深度受益。我们估计，至2025年，我国相应市场规模在100亿元以上。其中硅基GBT逾70亿元，碳化硅基 MOSFET近40亿元；产业自主可控程度有望逐步增强。
由此可见，igbt半导体在日后关于新能源汽车及轨道交通上的关键地位，也由此说明，森未科技在igbt半导体上的研发和发展是一个明智的举措。
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